SiC

EVはいったん失速してるけど、パワー半導体の普及は間違いないでしょうから、関連した技術に注目しています。
例えば高温・高速のスイッチングでEVの充電が大幅に時間短縮できるとか、風力発電の大きな電流を低いロスで変換するとかね。

具体的にはSiC基板。
高耐圧（絶縁破壊電解強度が高い）で薄くできたり、ワイドバンドギャップで高温安定とかの理由で、Si基板（IGBTとか）からSiCへのシフトが進むとされています。
（と、いろいろなサイトに書いてあります。Rohmのサイトはデータに基づいて比較してくれていて分かりやすい！）

さて、ほぼ１年前に、セントラル硝子が溶液法で6インチSiC基板の量産に成功って話でした。
それまでも他のいくつかの企業が開発成功的な発表はしてたけど、その後はっきりしてません。
これは１年たってどうなったかなと、経営概況説明（決算発表）を眺めてみました。

あまり大きな取り上げ方ではなかったのですが、8インチが作れるようになって、次はデバイスとしての評価へということでした。現在の昇華法に比べたら、欠陥も少なくなる可能性が高いし、低コスト化も見込めるということなので期待したいですね。
ただ、ロードマップでは2030以降といったイメージなので、ちょっと物足りないかな。